HermeSEAL JSIR 350-4紅外輻射源 紅外光源：高性能紅外輻射源，采用高性能納米非晶碳膜片。該膜片能夠實現高達850°C的溫度，提供高且長期穩定的輻射輸出。JSIR 350紅外紅外輻射源在HermeSEAL®選項中是一種高性能紅外輻射源，特別適用於(yu) 醫學、工業(ye) 和航空航天領域中要求苛刻的氣體(ti) 分析應用。

JSIR 350-4 紅外輻射源 紅外光源：高性能紅外輻射源，采用高性能納米非晶碳膜片。該膜片能夠實現高達850°C的溫度，提供高且長期穩定的輻射輸出。JSIR 350紅外紅外輻射源非常適合用於(yu) 醫學、工業(ye) 以及其他高要求應用領域的各種氣體(ti) 分析應用。

基於(yu) C-MOSI的紅外輻射源，TO46型：JSIR340-4型經濟實惠的紅外輻射源專(zhuan) 為(wei) NDIR氣體(ti) 分析和其他紅外測量應用而優(you) 化，如直接紅外光譜法、衰減全反射光譜法或光聲光譜法。基於(yu) CMOS的紅外輻射源的膜片可達到高達800°C的溫度。它能夠為(wei) 工業(ye) 應用提供長期穩定的輻射輸出，用於(yu) 在環境溫度為(wei) -20至85°C之間控製和監測過程氣體(ti) 。

基於(yu) C-MOSI的紅外輻射源，TO39封裝：JSIR340-4型經濟實惠的紅外輻射源專(zhuan) 為(wei) NDIR氣體(ti) 分析和其他紅外測量應用而優(you) 化，如直接紅外光譜法、衰減全反射光譜法或光聲光譜法。基於(yu) CMOS的紅外輻射源的膜片可達到高達800°C的溫度。它能夠為(wei) 工業(ye) 應用提供長期穩定的輻射輸出，用於(yu) 在環境溫度為(wei) -20至85°C之間控製和監測過程氣體(ti) 及相關(guan) 氣體(ti) 。帶有標準TO封裝和蓋子的包裝版本適合測量距離長達2厘米。

基於(yu) C-MOSI的紅外輻射源，SMD封裝，矽ARC窗口：適用於(yu) NDIR氣體(ti) 分析和其他紅外測量應用的經濟型紅外輻射源。該發射器僅(jin) 需250毫瓦輸入功率，也適合於(yu) 移動和手持設備。這款基於(yu) CMOS的紅外輻射源的膜片能夠達到高達800°C的溫度，具有長期穩定的輻射功率和短的時間常數。對於(yu) 高容量應用，如樓宇空調、自動化等，JSIR340因其出色的性價(jia) 比而非常適合。

四通道JSIR 350-4紅外輻射源，TO8封裝，帶反射器，開放式：高性能紅外發射器，采用TO8封裝，包含4個(ge) 芯片，用於(yu) 測量極低濃度或吸收特性較弱的氣體(ti) 。標準TO8封裝版本帶有反射器但無窗口，也適用於(yu) 從(cong) 30厘米開始的長距離測量。這種基於(yu) MEMS的發射器與(yu) 燈絲(si) 發射器相比，它具有顯著更長的使用壽命和更少的漂移。