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無限單模光纖

簡要描述:無限單模光纖:這些光纖表現出無休止的單模行為(wei) ,並且沒有表現出高階模截止。因此,它們(men) 非常適合在可見光及以上(從(cong) 400nm到1700nm)進行出色的模式傳(chuan) 輸。
由於(yu) 其特定二氧化矽的性質,專(zhuan) 用版本在可見光範圍內(nei) 具有較低的日曬作用。F110二氧化矽的高OH含量賦予該纖維優(you) 異的抗輻射和抗高功率可見光的傳(chuan) 輸性能。因此,這種光纖非常適合在可見光範圍內(nei) 進行出色的模式傳(chuan) 輸。

  • 產品品牌:其他品牌
  • 廠商性質:代理商
  • 更新時間:2024-06-19
  • 訪  問  量:875

詳細介紹

品牌其他品牌應用領域綜合

無限單模光纖 

無限單模光纖這些光纖表現出無休止的單模行為(wei) ,並且沒有表現出高階模截止。因此,它們(men) 非常適合在可見光及以上(從(cong) 400nm到1700nm)進行出色的模式傳(chuan) 輸。

由於(yu) 其特定二氧化矽的性質,專(zhuan) 用版本在可見光範圍內(nei) 具有較低的日曬作用。F110二氧化矽的高OH含量賦予該纖維優(you) 異的抗輻射和抗高功率可見光的傳(chuan) 輸性能。因此,這種光纖非常適合在可見光範圍內(nei) 進行出色的模式傳(chuan) 輸。

無限單模光纖關(guan) 鍵特征

l整個(ge) 波長範圍內(nei) 的單模

l標準PM版本

l可見光級二氧化矽版本可用-VIS

應用覆蓋

l單模光傳(chuan) 輸

技術數據

無限單模光纖無限單模光纖 

主要規格

產(chan) 品名稱

光纖纖芯直徑(μm)

包層直徑 (μm)

塗層直徑

(μm)

NA

背景損耗@ 532 nm

(dB/km)

背景損耗@ 1060 nm

(dB/km)

模場直徑

IXF-ESM-5-125

5 ± 0.3

125 ± 2

245 ± 10

0.20 ± 0.02*

< 50

< 20

4.6 ± 0.3*

IXF-ESM-5-125-PM

5 ± 0.3

125 ± 3

240 ± 10

0.20 ± 0.02*

< 38

< 20

4.5 ± 0.3*

IXF-ESM-10-125

10 ± 0.6

125 ± 5

250 ± 10

0.1 ± 0.02*

< 40

< 12

8.8 ± 0.4*

IXF-ESM-10-255-PM

10 ± 0.6

225 ± 5

355 ± 10

0.1 ± 0.02*

< 38

< 15

8.7 ± 0.4*

IXF-ESM-10-255-VIS

10.5 ± 0.5

126 ± 3

248 ± 5

0.11 ± 0.01**

< 35

< 20

7 ± 0.5**

*在1064 nm下測量

**在780 nm下測得


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